– Микроуровень: структурирование многослойных подложек, органических пленок и фото активных слоёв;
– Нано уровень: ионно-лучевая литография, нано маскирование и осаждение в мета поверхностных технологических цепочках;
– Интеграция: применение в гибридных фотонных чипах, акустических микросхемах, гибких волноводных структурах.
Таким образом псевдопараболоид 3-го порядка – это интеллектуальная геометрическая конструкция в ГВИ, где форма перестаёт быть вспомогательным элементом, а становится самостоятельным управляющим инструментом. Он позволяет организовать не просто фокусировку волновой энергии, а целую цепочку адаптивных волновых реакций, скрытую в закодированной кривизне.
Такая поверхность – прямой путь к созданию геометрически программируемых волновых устройств: от когерентных накопителей и резонаторов до распределённых сенсоров, фильтров, антенн и логических структур. Псевдопараболоид 3-го порядка – это уже не просто поверхность. Это топологически активный элемент будущих волновых технологий.
4.4 Псевдоэллипсоид 3-го порядка
Псевдоэллипсоид 3-го порядка представляет собой усовершенствованную топологическую структуру в рамках геометрической волновой инженерии (ГВИ), которая формирует новую категорию многофокусных, адаптивных и энергоаккумулирующих псевдоповерхностей с переменной отрицательной Гауссовой кривизной K (z, r) < 0 и сложной пространственной связностью.
В отличие от псевдоэллипсоида 2-го порядка, где основной акцент делается на симметричное кольцевое распределение фокусной энергии и линейную трансляцию волн вдоль оси, псевдоэллипсоид 3-го порядка использует более сложную образующую кривую третьего или смешанного порядка (в том числе нелинейные тригонометрические и экспоненциальные компоненты), благодаря чему достигается усиление пространственной кооперации волн, создание многоуровневой резонансной структуры и распределённой тепловолновой/акустоэлектромагнитной памяти в объёме.
Это устройство – не только геометрическая форма, но виртуальный «волновой организм», в котором энергия циркулирует между зонами, обмениваясь фазовой и частотной информацией через геометрически запрограммированные траектории.
1. Геометрическая структура
Базовый элемент псевдоэллипсоида 3-го порядка – это сечение псевдоэллипсоида 2-го порядка.
Псевдоэллипсоид 3-го порядка имеет переменную отрицательную Гауссову кривизну.
Концентрация энергии зависит от оси симметрии и может располагаться в следующих местах:
a) ось симметрии параллельна оси фокусов эллипсов – зона концентрации энергии представляет собой две коаксиально размещённые кольцевые области.
b) ось симметрии перпендикулярна оси фокусов гиперболы – две кольцевые области сверху и снизу.
Ключевые особенности геометрии:
– Многозонная распределённая форма: как минимум одна зона расширения (экваториальная), две «горловины» (верхняя и нижняя части), возможны дополнительные внутренние