в) – на уровень энергоформы (v/g-napa), имеющей импульс Р и эквивалентную массу m.
&
Для идеального контура частота гармонических электромагнитных колебаний задается формулой:
wrfLC) -1/2. (6)
Трансформация колебательного контура путем раскрытия конденсатора и сжатия катушки показана на рисунке один. Состояние б) отвечает схеме антенны, которая может, в принципе, принимать и излучать фотоны радиоволнового диапазона. При этом вихревые Е и В-поля заполняют все пространство. Трансформация в) отвечает состоянию колебательного контура, когда энергия Е-поля перешла в энергию вихревого В-поля. Конфигурацию электромагнитного поля в состоянии в) можно отождествить с энергоформами (v/g-napa), связав ее импульс Р или энергию Е-поля, с импульсом тока до его закручивания в спирали катушки. Соответственно, вращательный момент тока или связанная с ним энергия В-поля будут отвечать моменту импульса энергоформ или ее эквивалентной массе (mg). При комбинации различных v/g-nap собираются кванты полей (фотоны, гравитоны), а при их конденсации числом, равным числу Авогадро (6 1023), образуются элементарные частицы.
Очевидно, что электромагнитной индукции играет существенную роль в механизмах генерации и действия энергоформ электромагнитной природы в нервной системе человека. В основе ее коммуникативных и сигнальных функций лежит способность нервных клеток генерировать и проводить электрические импульсы. Электрофизику и метаболизм нервной системы и нейронов исследуют с помощью методов ЭКГ, ЭЭГ, МЭГ, ЯМР и позитронно- эмиссионной томографии, термоэнцефалоскопии, психофармакологии и непосредственным зондированием нервных клеток микроэлектродами. Квантовые магнитометры (СКВИД), в принципе, позволяют регистрировать магнитное поле отдельного нейрона. Явления электромагнитной индукции и резонанса, по-видимому, лежат в основе механизма чувствительности нервной системы к прямым воздействиям внешних электромагнитной – излучений различного диапазона. Наличие в нервной системе LC-структур, в принципе, допускает «настройку» чувствительных элементов нервной системы на частоты как внутренних, так и внешних биогенных излучений по принципу гетеродинной связи. Для объяснения электрических свойств мембраны привлекают схему эквивалентного контура, в которой проводящие каналы для различных ионов моделируют источником ЭДС и омическим сопротивлением (R), а изоляционные свойства мембраны представляют емкостью (рисунок два).
Рисунок два. Эквивалентная электрическая модель мембраны нерва: батареи создают суммарный мембраны потенциал U, ионная проводимость обозначена сопротивлениями R, емкость мембраны – конденсатор С.
Параллельное соединение нескольких контуров, показанных на рисунке
два, моделирует мембрану нейрона. Однако для модели нейрона центральной нервной системы, имеющего миелиновую оболочку, емкостной характеристики мембраны не достаточно. Действительно, в спиральной структуре миелина есть регулярные каналы (насечки) (рисунок три), которые в контексте эквивалентной