Упоминание о «пищевой цепочке» вовсе не случайно: на памяти NAND по-настоящему зарабатывают не ее непосредственные изготовители. Какова разница в розничной цене между 16– и 32-Гбайт версиями пресловутого iPhone 4S? Около 100 долл. на американском рынке (о гримасах отечественного ценообразования на этот в целом неплохой смартфон не хочется и говорить).
А в какую сумму обходятся Apple эти 16 дополнительных гигабайт? С учетом оптовых скидок (Apple – крупнейший в мире потребитель микросхем NAND с глобальной долей около 23 %), по единодушному мнению большинства аналитиков индустрии, немногим более чем в 10 долл., т. е. чистая прибыль от расширения флэш-памяти в iPhone 4S на 16 Гбайт составляет почти 90 долл. И потребители охотно эту прибыль обеспечивают.
Собственно, теперь становится ясно, почему ни iPhone, ни iPad не снабжаются встроенными адаптерами для карт памяти microSD. Зачем делиться прибылью с независимыми изготовителями (да еще такой чудовищной сверхприбылью), если можно подвигнуть безоглядных приверженцев торговой марки на приобретение дополнительного объема памяти с 900 %-ной маржой?
И все-таки микросхемы памяти NAND (в основном разновидности MLC, способной хранить в одной физической ячейке два бита данных) продолжают выпускаться в огромных количествах. Слишком велики объемы рынка, завязанного на них. Ведь без карт памяти и/или флэш-брелоков не обходятся множество смартфонов, планшетных ПК, электронных «читалок», видеорегистраторов, цифровых магнитол, фото– и видеокамер, медиаплееров, даже ноутбуков и нетбуков.
«Расшаривать» онлайновую информацию в наши дни становится просто, как никогда ранее, – достаточно отправить виртуальному собеседнику ссылку на свой фотоальбом, выложенный на YouTube ролик или открытый для просмотра документ в Google Docs. Офлайновым же средством налаживания цифровых социальных коммуникаций продолжают оставаться компактные и надежные маленькие носители данных, которые просто носить с собой и передавать друзьям и знакомым, – флэш-карты памяти и USB-брелоки.
Полупроводниковые микросхемы на канальных полевых униполярных МОП-транзисторах c плавающим затвором, на которых строится полупостоянная память типа NAND, относительно недороги в производстве, обеспечивают значительное количество циклов перезаписи (несколько миллионов) и весьма толерантны к наличию «сбойных» ячеек в составе кристалла. Дело в том, что данные в ячейки таких микросхем записываются и считываются блоками, и потому всегда есть возможность задействовать коррекцию ошибок на уровне контроллера. В результате можно выпускать недорогие и весьма емкие накопители на базе памяти NAND – просто потому, что по мере миниатюризации производственных норм фиксированная