Эффект пока не нашел надежного теоретического объяснения и нуждается в перепроверке, но уже ясно, что его можно с успехом применять для контроля качества пластин ниобата лития.
Представляется, что ниобат лития хранит звуковую энергию временно. Как это происходит, пока не ясно, но исследователи и мы отмечаем, что звуковая волна сжимает вещество, через которое проходит. Это создает в кристалле электрические поля, которое двигает электрически заряженные атомы, которые содержит кристалл. Когда поступление звука извне прекращается, ионы возвращаются обратно, но не все в одном направлении – движение разделено доменами, определяющими границы, на которых направление изменяется.
По закону сохранение энергии при возвращении ионов они выделяют полученную энергию в виде отложенной акустической волны. Это заставляет каждый домен зазвучать. Более сильное эхо связано с частотой резонанса доменов, которая зависит от их размеров.
Предполагается, что величина эха зависит от концентрации доменов и что эффект можно будет использовать для определения качества кристаллов. Какова действительная природа эффекта, еще предстоит выяснить.
Быть может, камни действительно заговорят?
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В настоящей работе сделан обзор и обсуждёна фотовольтаическая, оптическая (фоторефрактивная) и звуковая память в кристаллах ниобата лития. Коэффициенты в кристаллах ниобата лития порядка K = (2—3) ∙ 10—9A∙см∙ (Вт) -1.
Использование в голографической записи в LiNbO3: Fe. дает преимущества. В этом случае запись осуществляется фотовольтаическим эффектом (ФЭ) соответствующей фотовольтаическому току. Генерируемое фотонапряжение в кристаллах LiNbO3: Fe порядка
(103—105) В/см ответствен за оптическую память.
Ниобат лития широко применяется в голографии и запоминающих устройствах благодаря своим прекрасным сегнето- и пьезоэлектрическим свойствам. Подобно тому, как магнитные материалы «запоминают» магнитное поле, сегнетоэлектрик LiNbO3 в определенных условиях могут «запомнить» электрическое поле.
ЛИТЕРАТУРА
1. Рывкин. С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз. 1963. 494С.
2. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: ИЛ. 1962. 558С.
3. Э.И.Адирович. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника. Ташкент: Фан. 1972. 343 С.
4. Glass A.M., Voh der Linbe D., Nerren T.J.//High- voltage Bulk Photovoltaic effect and the Photorefractive process in LiNbO3. J. Appl. Phys. Let, 1974. N4. v.25. p.233—236.
5. Фридкин В. М. Фотосегнетоэлектрики. М.: Наука. 1979. С.186—216.
6. В.И.Белиничер. Исследования фотогальванических эффектов в кристаллах. Дисс. на соискание. докт. физ-мат. наук. Новосибирск. 1982. 350С.
7. Леванок А. П., Осипов В. В. Механизмы фоторефрактивного эффекта. // Изв. Ан. Россия, 1977. Т.41. №4. C.752—769.
8. Стурман Б. И., Фридкин В. М. Фотогальванические эффекты в средах без центра инверсии. М.: Наука. 1992. 208 С.
9. Фридкин В. М. //Объемный