Все науки. №4, 2023. Международный научный журнал. Ибратжон Хатамович Алиев. Читать онлайн. Newlib. NEWLIB.NET

Автор: Ибратжон Хатамович Алиев
Издательство: Издательские решения
Серия:
Жанр произведения:
Год издания: 0
isbn: 9785006039001
Скачать книгу
фоторефрактивного эффекта (ФР эффект) и нашёл широкое использование для регистрации объемных голограмм. ФР эффект заключается в следующем. В результате локального освещения сегнето или пьезоэлектрического кристалла интенсивным проходящим светом (сфокусированным лучом лазера) в объеме кристалла внутри светового пучка имеет место обратимое изменение двулучепреломления, главным образом за счёт изменения показателя преломления необыкновенного луча ne. Величина этого изменение достигает 10—4 -10-3 для некоторых пироэлектриков (LiNbo3 LiTa03), а время его существования может изменяться в широких пределах, от миллисекунд в BaTiO3 до месяцев в LiNbO3. Запись голограммы осуществляется благодаря объемной модуляции значения Dn, соответствующей модуляции записывающего луча. Разрешающая способность записи исключительно высокие, 102—104 лин/мм. [7, 9].

      Главное преимущество этого метода оптической памяти по сравнению с фотографическими слоями заключается в возможности параллельной записи, считывания и стирания.

      Как показано знак, и величина фотовольтаического тока зависит от симметрии кристалла и поляризации света. Фотовольтаический ток приводит к генерации в том же направлении аномально больших фотонапряжений. Таким образом, за время экспозиции t в кристалле возникает макроскопическое поле.

      (5)

      Благодаря линейному электрическому эффекту поле приводит к ФР эффекту:

      (6)

      где rij – электрооптические коэффициенты. Уравнение (6) записано в главной системе координат. После освещения поле сохраняется в кристалле длительное время благодаря захвату неравновесных электронов и дырок. Этот механизм захвата ответствен за оптическую память.

      Использование в голографической записи в LiNbO3: Fe дает преимущества. В этом случае запись осуществляется фотовольтаическим эффектом (ФЭ) соответствующей фотовольтаическому току. Генерируемое фотонапряжение порядка (103—105) В/см ответствен за оптический память в кристаллах LiNbO3: Fe.

      Стирание может осуществляться путем отжига кристалла при 1700С. Имеются и другие методы стирания.

      2. ЗВУКОВАЯ ПАМЯТЬ В КРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ

      В технике уже довольно давно используют слегка желтоватые монокристаллы ниобата лития LiNbO3. Это удивительно «талантливый» материал: сегнетоэлектрик (его диэлектрическая проницаемость зависит от напряженности электрического поля, температуры и предварительной поляризации). Кристалл содержит особые микроскопические области – сегнетоэлектрические домены, различающиеся по направленности поляризации. Размеры доменов 10—7—10—5 м, или 0,1—10 мкм. Воздействуя электрическим полем, домены можно перемещать по кристаллу, в сильном поле направление поляризации всех доменов можно сделать одинаковым (кристалл становится монодоменным). При повышении температуры до определенной величины способность поляризоваться и образовывать домены пропадает. У ниобата лития эта температура (точка Кюри) очень высокие составляет