Радиационные приборы. Эксплуатация. Владимир Ушаков

и магнитные поля сильнее всего воздействуют на элементы приборов, имеющих электронную фокусировку (например, на ФЭУ, дисплеи, осциллографические трубки), а также на стрелочные электромагнитные приборы. Под действием этих полей в цепях прибора могут возникать помехи и наводки, приводящие к сбою в работе, выдаче ложных сигналов и т. п.

      Воздействие на приборы ИИ проявляется в изменении свойств материалов, в том числе материалов, из которых изготовляются элементы электроники. Наиболее уязвимы к действию радиации полупроводниковые элементы (транзисторы, интегральные схемы, микропроцессоры и др.), параметры которых очень критичны к небольшим изменениям в структуре или составе полупроводниковых материалов. Сильнее всего на работу полупроводниковых приборов влияет нейтронное излучение, обладающее высокой проникающей и ионизирующей способностью. При соударении нейтронов с атомами кристаллической решетки полупроводника атомы смещаются, образуются новые центры рекомбинации носителей тока, что отрицательно сказывается на общих процессах формирования и переноса электрических зарядов. Величина тока уменьшается, параметры приборов ухудшаются и тем заметнее, чем больше поглощенная доза ИИ. При определенной дозе происходит полная утрата работоспособности прибора, потеря его радиационной стойкости.