У образованного материала коэффициент линейного теплового расширения составляет 5,9*10—6 1/К при достижении значения температур в 293 К. Модуль Юнга у такого материала достигает 52 Гпа с коэффициентом Пуассона 0,41. Ещё одним, для некоторых случаев благоприятных моментов является обстоятельство его прозрачности для инфракрасного излучения от 830 нм, однако отрицательным в случае необходимости детектирования подобного рода классов излучений. Необходимо отметить, что это излучение, зависимое от энергии, близкой к ширине запрещённой зоны материала в 1,5 эВ при 300 К, что и становится причиной его прозрачности для такого рода излучений, соответствующие 20 мкм.
Рис. 2. Смещение спектров флуоресценции в теллуриде кадмия
Данный элемент кроме того обладает свойством флуоресценции, но достигает своего пика только при 790 нм. Настоящий закон действенен только для массивных кристаллов, когда же их размер сравнительно уменьшается и может доходить до состояния приведения в квантовые точки, пик флуоресценции начинает смещаться на определённое значения, находясь уже на ультрафиолетовый диапазон. Больше всего эту зависимость олицетворяет спектр флуоресценции теллурида кадмия для различных размеров, где размер коллоидных частиц увеличивается примерно от 2 до 20 нм, а в лице причины такого смещения пика представляется некоторая квантовая яма (Рис. 2).
Среди химических свойств этого соединение не стоит говорить довольно много и вполне достаточно отметить, что он плохо растворяется в воде, имеет свойство взаимодействия даже со слабыми кислотами с выделением теллуроводорода и образованием соответствующей соли, что довольно очевидно.
Исходя из всех представленных физико-химических описаний настоящего соединения, а также находя соответствие с физико-математическими законами фотоэлектрических явлений, можно в сравнительном анализе говорить о весьма благоприятной пригодности этого материала для роли полупроводниковой фотоэлектрической основы для подобного рода устройств со сравнительно большой эффективностью. Но стоит сказать, что дальнейшее совершенствование этой технологии неизбежно и требует более подробного дальнейшего рассмотрения.
Использованная литература
1. Бовин Л. А и др. Физика соединений а-2 б-6 / под ред. А. Н. Георгобиани, М. К. Шейнкмана. – М.: Наука, Гл. ред. Физ.-мат. Лит., 1986. – 319 с.
2. Ансельм, А. И. Введение в теорию полупроводников / А. И. Ансельм. – Л.: Наука, 1978. – 616 c.
3. Ансельм, А. И. Введение в теорию полупроводников / А. И. Ансельм. – М.: Лань, 2008. – 624 c.
4. Ансельм, А. И. Введение в теорию полупроводников