ШАГ 4.1 Применение ММЧ.
Маленькие человечки должны пробраться в кристалл (в полости и трещины кристалла) и удерживаться за основу (рис. 3).
Рис. 3. ММЧ
ШАГ 4.2. Шаг назад от ИКР.
1. ИКР.
Кристаллы расположены вплотную и не выкрашиваются при работе.
2. Шаг назад от ИКР.
Кристаллы на микрон отстают друг от друга.
3. Как теперь достичь ИКР.
В это минимальное расстояние помещается что-то, что прекрасно заполняет микротрещины и микрополости кристалла и входит в основу так, что кристаллы и основа становятся одним целым.
ШАГ 4.3. Применение смеси ресурсных веществ.
Прослойка может быть сделана из смеси высокоплавких металлов.
ШАГ 4.4. Замена имеющихся ресурсных веществ пустотой или смесью ресурсных веществ с пустотой.
Задача не решается.
ШАГ 4.5. Применение веществ, производных от ресурсных (или применением смеси этих производных веществ с «пустотой»).
См. шаг 4.3. Прослойку делать из высокоплавких металлов с температурой плавления выше, чем температура плавления основы.
ШАГ 4.6. Введение электрического поля или взаимодействия двух электрических полей.
Может быть, воспользоваться электрическим полем для проникновения прослойки в микротрещины и микрополости кристалла?
ШАГ 4.7. Введение пары «поле – добавка вещества, отзывающегося на поле».
Задача может быть решена, например, использованием электролиза для покрытия кристаллов необходимым металлом.
Часть 5. Применение информфонда
ШАГ 5.1. Применение стандартов.
Можно применить стандарт 1.1.3. Переход к внешнему комплексному веполю.
где
В1 – кристаллы алмаза;
В2 – связующий материал;
П – адгезия;
В3 – икс-элемент (дополнительный металл).
ШАГ 5.2. Применение задач аналогов.
В качестве задачи-аналога может служить задача о припайке золотых проводников к микросхеме8.
Условие задачи
Обычно проводники в интегральных микросхемах (ИМС) делают из золота, имеющего самое малое удельное сопротивление току, но недопустимо плохую адгезию с материалом подложки. Как быть?
Решение
Сначала наносят подслой, имеющий хорошую адгезию с подложкой и с золотом, а затем на него напыляют золото. В качестве подслоя берут никель или титан.
Таким образом, прослойка должна иметь хорошую адгезию с алмазом и с основой.
ШАГ 5.3. Приемы разрешения ФП.
Разделение свойств в пространстве
Внесение дополнительного очень тонкого слоя между кристаллом и основой. Слой должен быть не больше нескольких микрон.
ШАГ 5.4. Применение «Указателя физэффектов».
В качестве