Практикум является приложением к книгам «Стратегические секреты консультанта»
и «Стратегическое управление персоналом», изданных каждая в 3 частях.
Будет полезен руководителям организаций и владельцам бизнеса.
Предназначен для самостоятельной разработки стратегии отрасли в войне на рынке вакансий с использованием рекомендуемых шагов и форм (если они требуются) для заполнения. Основан на 25-летнем опыте консультирования компаний из самых разных отраслей по теме стратегического менеджмента и новой концепции стратегического управления персоналом, предложенной автором книги.
Краткое содержание
Мой блог
Война на рынке вакансий – Книга 10
Практикум по стратегическому управлению персоналом
Практикумы и тренинги от автора
Мой блог
Великий Новгород
Мы со Славой (коллегой по работе) приехали в Новгород, когда был страшный мороз. Автобус, на котором мы добирались до общежития завода, разумеется, не отапливался. Отогрелись в общежитии, куда нас разместили.
После тряской дороги нам было трудно было поверить, что на этом заводе мы увидим чудо электронной промышленности. Но мы уже знали, что чудо есть.
При общении с начальником цеха мы сообщили цель визита:
– Наше НИИ также выпускает аналогичные транзисторы что и ваш цех. Но мы не можем понять, почему ваши транзисторы стоят всего 1 рубль, в то время как американские транзисторы с барьером Шоттки с такими же характеристиками стоят 1 доллар?
И у нас огромные проблемы с внедрением производства наших транзисторов на нашем опытном заводе при НИИ. Диоды СВЧ диапазона наш завод уже изготавливает. А вот после ОКР1 в нашем НИИ с транзисторами на заводе пока сплошная беда.
Начальник цеха улыбнулся:
– Я правильно понял, что опытные образцы в рамках ОКР изготавливает ваше НИИ?
После утвердительного ответа с нашей стороны, он продолжил:
– НИР по транзисторам проводит московский институт (он нам его назвал, это было аналогичное нашему тогда еще горьковскому предприятию, мы там бывали и знали это НИИ).
Но, возможно вам не рассказали, что ОКР по транзисторам проводит не это НИИ, а уже наш завод. И потому слово, которое повсеместно используется – «внедрение» – нами не применяется. Внедрение предполагает сопротивление. Но поскольку ОКР мы ведем сами, учитывая все особенности оборудования и персонала, что у нас есть на заводе, внедрение происходит на автомате – опытные транзисторы мы уже производит в нашем цеху.
А цена в 1 рубль – это просто наши издержки позволяют производить и иметь прибыль при такой цене одного транзистора.
Когда мы возвращались в наш город, мы обсуждали очевидные вещи:
– Получается, когда после НИР в нашем НИИ проводится ОКР, а потом еще трудная работа по попытке внедрить технологически процессы на нашем опытном заводе, в это время в Москве уже ведется новая НИР нашими «дружескими конкурентами», которая направлена на получение транзисторов с еще в более высокими характеристиками.
И наши московские коллеги знают, что эти транзисторы через короткое время будет выпускать завод в действительно Великом Новгороде.
– Да, – согласился я на реплику Славы. – Но зато дороги у них отвратительные.
Мы засмеялись.
Голь на выдумки хитра
Напряжение отсечки
Напряжение отсечки
Наш новый начальник отделения иногда заходил ко мне на участок и рассказывал, что на заводе «Элма» в Зеленограде придумали какой-то особый метод, который позволяет определять с высокой точностью разброс неоднородности полупроводниковых слоев для полевых транзисторов с барьером Шоттки.
У нас, как я уже отмечал, использовалось измерительное оборудование, изготавливаемое мелкими партиями или даже единичными образцами, потому было сыроватым.
Но начальник отделения, что называется, меня достал. И я стал думать и… придумал: как на плохом неточном оборудовании с высокой точностью определять неоднородность тонких (порядка 0,2 мкм), полупроводниковых слоев на изолированной подложке по площади пластины.
На нашем нестандартном оборудовании для измерения профиля концентрации в неоднородных эпитаксиальных слоях для ПТБШ на изолированной подложке можно хорошо видеть начало отсечки (аналогичное отсечке протеканию тока в активной области транзистора при прикладывании достаточного напряжения к затвору транзистора. При этом точность измерения самого напряжения можно достичь очень высокой.
Таким образом, измеряя напряжение отсечки полупроводниковой пластины по ее площади, получается