Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения - К. И. Таперо
| Автор: | К. И. Таперо |
| Издательство: | «Лаборатория знаний» |
| Серия: | |
| Жанр произведения: | Техническая литература |
| Год издания: | 2012 |
| isbn: | 978-5-9963-2527-6 |
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро– и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO 2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро– и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.