Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5 - Юрий Раков
| Автор: | Юрий Раков |
| Издательство: | НГТУ |
| Серия: | |
| Жанр произведения: | Учебная литература |
| Год издания: | 0 |
| isbn: | 978-5-7782-1618-1 |
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.