Основы радиационных технологий. Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+–p–p+(p+–n–n+)-типа - Владимир Астахов
| Автор: | Владимир Астахов |
| Издательство: | МИСиС |
| Серия: | |
| Жанр произведения: | Техническая литература |
| Год издания: | 2007 |
| isbn: |
В методических указаниях рассматриваются принципы расчета режимов ионной имплантации при формировании структур n+–p–p+(p+–n–n+)-типа и профилей распределения имплантированной примеси. Излагается методика расчета в программе Math Cad 2001.