Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет - Виктор Мурашев
| Автор: | Виктор Мурашев |
| Издательство: | МИСиС |
| Серия: | |
| Жанр произведения: | Техническая литература |
| Год издания: | 2001 |
| isbn: |
С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления