Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения - К. И. Таперо
| Автор: | К. И. Таперо |
| Издательство: | МИСиС |
| Серия: | |
| Жанр произведения: | Учебная литература |
| Год издания: | 2011 |
| isbn: |
В курсе лекций по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения» рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства; численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства.